Давно используемый для профилирования тонких пленок и диэлектриков, метод квадрупольной динамической масс-спектрометрии вторичных ионов стал основным методом характеризации процесса сверхмелкой имплантации легирующих примесей, используемых в производстве полупроводниковых устройств. Снижение геометрических размеров устройств, требует сверхмелкой имплантации при высоких дозах присадок, таких как мышьяк, бор и создания тонких изоляционных слоев (оксиды и оксинитриды). Для контроля критических параметров подобных процессов в современном производстве полупроводниковых устройств идеально подходит аналитическое разрешение квадрупольного масс-спектрометра вторичных ионов PHI ADEPT - 1010 D – SIMS.

Прибор оборудован уникальной системой экстракции вторичных ионов, обеспечивающей высокую трансмиссию на платформе динамического квадрупольного масс-спектрометра вторичных ионов. Высокая трансмиссия обеспечивает низкие пределы обнаружения, упрощая анализ глубины и доз имплантации. Эти определяющие для имплантации факторы могут быть измерены с воспроизводимости несколько процентов, что соответствует потребностям полупроводниковой промышленности. Кроме того, ADEPT - 1010 можно использовать для контроля содержания азота в нитридированных окислах при толщине пленок 5nm и менее.

Сверхглубокий уровень вакуума ADEPT - 1010 позволяет проводить профилирование малых уровней кислорода и углерода в слоях SiGe при сохранении высокого разрешения по глубине и малой энергии спуттеринга. Эта возможность важна при разработке устройств на основе SiGe.

В состав ADEPT - 1010 входят полное программное обеспечение системы, программа SIMetric для инструментального управления прибором, программы для сбора и обработки данных. Прибор может собирать данные в автоматизированном режиме данных без вмешательства оператора. Такой режим дает высокую производительность и воспроизводимость результатов при работе с партией образцов, его можно запустить на ночь или в течение длительного периода времени.