Электронные микроскопы

При проведении анализа образца с помощью электронной микроскопии поверхность образца сканируется точно сфокусированным пучком электронов. Облучение электронами приводит к излучению вторичных электронов, обратному рассеянию электронов высокой энергии и возникновению рентгеновских лучей, характеристики которых зависят от элементов образца.

Фильтр по товарам
Фильтр по типу «Применение»

Наука о живом

Микроэлектроника

Природные ресурсы

Материаловедение

Фильтр по названию
Применить фильтр
Сбросить параметры
Vion Plasma Focused Ion Beam
Ток пучка
1.5 пА – 1.3 мА
Verios
Ток зонда
от 0,8 пА до 100 нA
Диапазон энергий электронов у поверхности образца
20 эВ – 30 кэВ
Поле зрения
от ≤ 100 нм до 1,5 мм
Количество портов
21
V600 and V600CE Focused Ion Beams
Разрешение в режиме ионного пучка
5 нм
V400ACE
Разрешение в режиме ионного пучка
4.5 нм
Titan³ (Titan cubed) 300
Разброс по энергии
0,7–0,8 эВ
Разрешающая способность по точкам
80 пм